ASML将中止EUV Pellicle（光罩防尘薄膜）技能的研制，并将该技能转让与日本。而韩国国内Blank光罩

　　6月3日依据业界资讯，日本三井化学与荷兰曝光机厂商ASML签定EUV Pellicle技能转让协议。三井化学方案下一年第二季度前在日本竣工EUV Pellicle工厂，并从2021年二季度开端稼动产线%转让，而是按序转让出开发数年的EUV Pellicle技能，并在三井化学量产后开端收取专利费。

　　三井化学半导体制程光罩防尘薄膜（Pellicle） （图片来自：etnews）

　　半导体曝光制程是将制作Pattern（图画）的光罩进行曝光，在晶圆上重复进行制作的进程。将缩小并制作在光罩的图画复制到晶圆上，进程中光罩遭到污染时不良率会急剧上升。

　　Pellicle便是在光罩上起维护效果的薄膜，既可避免光罩遭到污染，削减不良Pattern并能进步光罩运用时刻。而跟着新的半导体纤细EUV制程的开发，Pellicle也需求随之改进。原有曝光技能基本是选用光源穿透方法，但EUV制程的光源易被吸收，所以才用的是反射式，Pellicle也需求对应的新技能。但截止现在商场上暂无可以彻底满意量产条件的EUV Pellicle。

　　的部分AP芯片选用EUV制程，但只要光罩，并无Pellicle。而EUV光罩费用高达5亿韩币（约合290万人民币），替换光罩的担负非常大。

　　业界的人说：无Pellicle的光罩虽出产速度有所提高，但不良产生比率会上升。选用Pellicle时制程速度确实会受影响，但可以大幅度削减不良比率。所以EUV Pellicle技能难度虽高，但却是必不可少的。

　　EUV曝光机有突出贡献的公司ASML联手加拿大Teledyne消耗数年时刻研制EUV Pellicle。但业界估测开宣布满意90%以上穿透率的EUV技能难度较高，再加上ASML更倾向于专心EUV设备开发，所以才会决定将技能转让给三井化学。

　　韩国企业SNS Tech也是联手汉阳大学研制EUV Pellicle技能。方针选用单晶硅和氮化硅等新资料制作出可满意88%以上穿透率的EUV Pellicle。而三井化学方针选用多晶硅资料方法提前完结量产以抢占商场先机。

　　专家以为两家企业的良率均在30%左右，技能没有老练。汉阳大学Ann Jinho教授表明就算考虑后续的降价趋势，EUV Pellicle价格为1亿韩币（约合58万人民币）左右，假定一星期替换一次便是每年500亿韩币（约合2.9亿人民币）规划的商场。

　　原文标题：曝光机龙头ASML 抛弃EUV光罩防尘薄膜研制并技转日本三井化学

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